1. 项目概述与核心价值如果你最近在折腾一个需要Type-C接口供电的项目无论是做一个高性能的笔记本扩展坞、一个支持快充的移动电源还是一个需要智能受电的嵌入式设备那你大概率绕不开USB Power DeliveryUSB-PD协议。这玩意儿现在几乎是所有电子设备的“电力普通话”从手机、平板到游戏本都靠它来协商“吃”多少电、“吐”多少电。但真要把PD协议玩转尤其是想实现PPS可编程电源、AVS可调电压电源这些高级功能甚至还要考虑接口防腐蚀、支持240W的EPR扩展功率范围光靠一个MCU去解析CC线上的BMC编码就够喝一壶了。这时候像德州仪器TI的TPS26750A这类独立的USB-PD控制器就成了“救星”。它本质上是一个专为处理USB-PD协议而生的协处理器帮你把复杂的通信、协商、电源路径管理、安全保护这些脏活累活全包了。你只需要通过I2C告诉它你想要什么比如作为源端提供20V/5A或者作为受电端请求15V/3A的PPS它就能自动完成与对端设备的“握手”并控制外部的电源开关或充电芯片输出正确的电压电流。这大大降低了开发门槛让你能把精力集中在产品的主功能上而不是在协议栈调试上耗上几个月。我这次拿到的项目资料核心就是围绕TPS26750A这颗芯片实现一个功能全面的USB-PD应用方案。它不仅要支持基础的PD3.0供电更要搞定PPS和AVS这两种用于直接充电的“精细调压”模式还要集成液滴检测来应对潮湿环境并且通过搭配外部保护芯片TPD4S480来支持高达48V/5A的EPR协议。说白了这就是一个面向未来高功率、高可靠性Type-C电源系统的“交钥匙”方案蓝图。接下来我就结合这些官方资料和我自己踩过的一些坑为你拆解这个设计的核心思路、关键实现细节以及那些数据手册里不会写的实操要点。2. 核心功能模块深度解析TPS26750A作为一个独立的PD控制器其强大之处在于高度的可配置性和丰富的集成功能。我们不能把它简单看作一个协议芯片而应理解为一个完整的“电源协商与管理中心”。下面我们来逐一拆解它的几个核心能力。2.1 PPS与AVS不只是调压更是精细的电力对话PPS和AVS是PD3.0协议中为直接充电场景定义的高级特性目的都是为了绕过电池充电管理芯片Charger IC让供电设备Source直接以适配电池的最优电压电流给设备充电从而提升效率和减少发热。PPS的精髓在于“双精度可调”。它允许受电端Sink以20mV的电压步进和50mA的电流步进在5V到21V标准功率范围SPR内请求一个非常精确的电压电流组合。比如你的手机电池当前电压是4.2V加上充电电路的压降可能最优的输入电压是4.6V。PPS就能让充电器直接输出4.6V而不是传统的5V或9V从而让充电IC工作在最高效的直通模式发热量骤减。TPS26750A在作为PPS源时其外部的功率路径通常是连接到一个支持I2C编程的降压充电器如TI的BQ系列必须能够响应这些精细的调整。表格里给出的60W3A和100W5A能力就是基于最大电流和最高电压21V计算出来的峰值功率。实现的关键在于你选用的后端电源芯片比如BQ25790的反馈环路和I2C调压指令必须足够快能跟上PD协议协商的速度。AVS则可以看作是PPS的“简化版”或“高压版”。它在标准功率范围SPR5V-21V内电压调整步进是100mV并且不支持独立的电流限制设置而是通过“9V-15V最大电流”和“15V-20V最大电流”这两个字段来声明能力。这意味着作为AVS源你只需要保证在某个电压段能提供不大于声明的最大电流即可。AVS更重要的舞台是在扩展功率范围。在EPR模式下15V-48VAVS是主要的可调压方式步进同样是100mV。例如一个支持EPR的240W电源可以通过AVS提供28V、36V、48V等固定电压也支持在15V-48V之间以100mV步进调整。TPS26750A通过固件配置来启用这些模式你需要在其配套的Web配置工具里清晰地定义你的设备作为源或受电端时所支持的PPS/AVS电压档位、电流能力和步进精度。实操心得PPS/AVS配置的坑这里最容易出问题的地方是“能力声明”与“实际硬件能力”的匹配。比如你在Web工具里配置了支持20V/5A的PPS输出但后端连接的DC-DC转换器或充电芯片其I2C调压命令的最小步长是10mV或者电流检测精度只有100mA那么在实际协商中就可能出现协议通但供电不稳的情况。务必确保你配置的电压/电流步进值是你的硬件平台物理上能够稳定实现的。另一个常见疏忽是热设计PPS/AVS意味着电源芯片可能长期工作在非标准电压如11.3V其效率曲线可能与标称的5V/9V/15V/20V不同需要重新评估散热。2.2 液滴检测让Type-C接口不怕“汗湿”液滴检测是我认为TPS26750A设计中最具实用价值的功能之一。Type-C接口紧凑的引脚间距在潮湿环境或意外泼溅时极易因液体桥接导致短路腐蚀轻则接口失灵重则损坏内部电路。TPS26750A的液滴检测功能巧妙地利用了接口上未用于高速数据传输的引脚SBU1/2、CC1/2或D/D-作为传感器。其原理可以类比为一个“间断性导通测试”。芯片会周期性地通过配置为输出的GPIO向一个监测引脚比如SBU1发送一个脉冲信号。在干燥状态下这个引脚通过一个高阻值电阻图中典型值为100kΩ连接到地另一路ADC监测引脚比如SBU2通过类似的高阻值电阻连接到LDO_3V3。当接口干燥时这两条通路是独立的。一旦有液体侵入在SBU1和SBU2之间形成导电桥路就会导致ADC监测到的电压发生显著变化从而触发液滴检测事件。触发后TPS26750A可以执行预设的保护动作例如立即关闭VBUS供电并通过I2C中断通知主控MCU。更高级的是它支持“腐蚀缓解”模式。在这个模式下检测到液体后芯片不仅会关闭电源还会主动将监测引脚拉低形成一个低阻抗通路这有助于均衡液体中的离子电势减缓电化学腐蚀过程。从资料中的波形图可以看出启用腐蚀缓解后SBU引脚上的电压被主动拉低并保持而不是单纯地停止检测。引脚选择有讲究选择哪组引脚做检测取决于你的应用场景。使用SBU1/2这是最常用的方案因为SBU引脚在大多数应用中非全功能Type-C是空闲的。但需要注意如果你的设计支持模拟音频耳机模式Audio Adapter Accessory ModeSBU引脚会被占用就不能用于液滴检测。使用CC1/2如果你需要设备在连接状态下CC引脚正在用于PD通信也能检测液体那么CC引脚是唯一选择。但这需要更复杂的外部电路因为CC线上可能有3.3V或5VVconn电压必须通过TPD4S480等保护芯片进行隔离防止高压灌入。使用D/D-如果你不需要支持BC1.2苹果/三星老式充电协议或USB2.0数据那么D/D-引脚也可以用作检测。但这通常是最不推荐的选择因为它会牺牲数据功能。2.3 EPR支持与TPD4S480迈向240W的关键搭档EPR将USB-PD的功率上限从100W20V/5A提升到了最高240W48V/5A甚至更高。电压的提升带来了新的挑战绝缘耐压和高压浪涌保护。TPS26750A本身的工作电压范围无法直接承受48V的高压因此必须搭配一颗专用的Type-C端口保护器这就是TPD4S480。TPD4S480在这里扮演了三个至关重要的角色高压隔离与电平转换这是其核心功能。CC和SBU引脚直接暴露在Type-C接口上当EPR模式下VBUS电压高达48V时任何对CC/SBU的短路都会将高压引入TPS26750A导致损坏。TPD4S480内部集成了高压隔离开关和电平转换电路确保无论VBUS电压多高传递给TPS26750A的C_CCx和C_SBUx信号电压都被钳位在其安全的工作范围内如3.3V。VBUS电压采样TPS26750A需要通过VBUS_LV引脚来监测VBUS电压。在EPR设计中VBUS_LV信号来自于TPD4S480内部的一个分压网络它将高达48V的VBUS电压按比例缩小到芯片可测量的范围例如0-3.3V。高压栅极驱动TPS26750A的POWER_PATH_EN引脚输出一个最高9V的模拟信号由内部电荷泵产生。在EPR应用中这个信号通常需要驱动一个耐压超过48V的N-MOSFET作为主电源开关。TPD4S480可能不直接提供这个驱动但设计方案中通常会用一个由两个NMOS组成的源极跟随器Source Follower作为缓冲器将POWER_PATH_EN信号进行电平移位和电流放大再去驱动那个高压MOSFET的栅极。设计要点当你决定要支持EPR时从原理图阶段就必须将TPD4S480纳入设计。它的VBUS、CCx、SBUx引脚必须直接连接到Type-C连接器而C_CCx、C_SBUx、VBUS_LV则连接到TPS26750A。PCB布局时这两颗芯片应尽可能靠近Type-C连接器放置以减小高频噪声和ESD风险。2.4 与其他功能的协同BC1.2与USB数据除了上述高级功能TPS26750A也妥善处理了“历史遗留问题”和现代高速需求。BC1.2支持这是一个“向下兼容”的典范。BC1.2是USB Battery Charging 1.2规范定义了苹果设备早期识别充电器的协议。很多老式充电器或车载充电器仍只支持BC1.2。TPS26750A可以通过内部开关矩阵将D和D-引脚连接到内部检测电路模拟成一个BC1.2的充电端口DCP如苹果2.4A模式或者识别对端的BC1.2源。这个功能在Web工具中配置即可对于需要兼容广泛充电器的设备如便携式音箱、POS机非常有用。USB数据支持TPS26750A本身不处理USB数据但它是一个聪明的“交通指挥”。它通过监测CC引脚的状态判断Type-C接口的正反插方向。一旦连接建立它就会通过预设的GPIO引脚输出控制信号给外部的USB SuperSpeed多路复用器如TUSB1142。这个MUX会根据正反插方向将主控SoC的USB3.0 TX/RX差分对正确地切换到Type-C连接器的对应引脚上。这意味着你的系统可以同时实现全功能的USB 3.2 Gen 210Gbps数据传输和高功率PD充电两者互不干扰。3. 系统设计与硬件实现要点看懂了芯片能做什么下一步就是如何把它用起来。TPS26750A的应用设计可以概括为“一个核心两种架构多方联动”。3.1 核心配置流程从Web工具到EEPROMTPS26750A的灵活性源于其可配置的固件。芯片本身没有固化死的功能所有特性PPS/AVS支持、液滴检测引脚选择、GPIO功能映射、I2C从机地址等都通过一个存储在外部EEPROM如CAT24C256中的“固件配置包”来定义。TI提供了一个在线的“USB PD应用定制工具”Web Tool这是一个图形化配置界面。配置流程如下需求定义明确你的设备角色纯源、纯受电、双角色、支持的PD版本3.0/3.1、功率等级60W/100W/140W/240W、是否支持PPS/AVS/EPR、是否需要液滴检测、BC1.2、USB数据切换等。Web工具配置在工具中像搭积木一样勾选所需功能并设置具体参数。例如在“Power”选项卡下定义作为源端时提供的PDO电源数据对象列表在“GPIO”选项卡下将某个GPIO映射为“USB Mux Orientation Control”USB多路器方向控制。生成配置文件配置完成后工具会生成一个二进制文件.bin或.hex。烧录至EEPROM将这个二进制文件通过编程器烧录到电路板上的EEPROM芯片中。芯片上电加载TPS26750A上电后会通过I2C总线自动从EEPROM中读取配置包并加载到其内部存储器完成个性化启动。注意事项EEPROM的细节EEPROM的I2C地址必须在Web工具中指定且需与硬件连接一致。通常使用7位地址0x50。务必在原理图中为EEPROM的/WP写保护引脚做好处理开发阶段可以接GND或通过MCU控制量产时建议根据需求上拉或固定电平防止配置被意外修改。3.2 两种典型应用架构解析官方资料给出了两个主要的参考框图清晰地展示了芯片在不同场景下的用法。架构一完整系统带电池管理与主机控制这是最复杂的应用场景常见于高端笔记本电脑、平板电脑或智能显示器。在这个架构中TPS26750A作为PD协议核心处理所有Type-C接口的协议通信、液滴检测、BC1.2识别。专用电池充电器如BQ系列作为执行单元TPS26750A通过I2C与充电芯片通信。当PD协商达成一个合约例如20V/3A后TPS26750A会通过I2C命令控制充电芯片使其VIN端即来自Type-C的VBUS转换出相应的电压并为电池充电或直接为系统供电。主机MCU作为决策大脑MCU通过另一个I2C接口与TPS26750A连接。MCU可以实时读取PD状态连接状态、当前合约、液滴告警等并可以下发高级指令例如用户从软件界面选择“优先充电”或“优先供电”模式。MCU还可以控制USB高速Mux实现数据与视频功能。电源路径管理图中显示了PP5V内部5V路径和PPEXT外部扩展路径两条供电路径。PP5V通常用于在未建立PD合约或仅需5V时为连接设备提供基础供电。PPEXT则连接外部高压MOSFET用于传输协商后的高功率。架构二精简电池充电系统这个架构更专注于“受电”场景比如一个支持PD快充的移动电源或电动工具电池包。它与架构一的主要区别在于移除了主机MCU和USB数据部分。TPS26750A自主运行所有PD策略如请求哪个电压档位都已在Web工具中预先配置好并固化在EEPROM里。上电后芯片自动按预设行为工作。与充电器直连TPS26750A通过I2C直接控制电池充电器根据电池状态由充电器监测自动请求最合适的PDO。例如电池电量低时请求大功率如20V/5A快充满时切换到小电流模式如9V/2A。成本与复杂度更低省去了MCU及其周边电路非常适合对成本敏感、功能需求固定的量产产品。3.3 关键外围电路设计细节要让TPS26750A稳定工作以下几个外围电路的设计至关重要1. 电源与去耦VIN_3V3这是芯片的主电源输入严禁直接从VBUS取电必须由一个独立的、干净的3.3V LDO或DCDC提供。其去耦电容典型值见数据手册第5.4节必须尽可能靠近芯片引脚放置。LDO_3V3和LDO_1V5这是芯片内部LDO的输出引脚需要连接推荐值的电容到地。LDO_3V3还会给外部电路如EEPROM、电平转换电路供电因此其负载能力和纹波需要评估。PP5V这是芯片内部5V电源路径的输出。它需要能提供高达3.6A的电流3A用于供电600mA用于Vconn。PCB布局时必须使用电源平面或足够宽的走线来连接并靠近引脚放置大容量如10μF陶瓷电容。官方建议从芯片引脚到电源平面使用至少4个并联过孔以减少阻抗和帮助散热。2. CC引脚与液滴检测网络CC1/CC2连接Type-C连接器的CC引脚。必须串联一个0.1μF或0.22μF的电容C10, C11到地用于滤波和ESD保护。这个电容必须和芯片放在PCB的同一层走线尽量短且直中间不要打过孔。液滴检测电阻网络如图8-7和8-8所示无论是使用CC还是SBU引脚检测都需要一个由100kΩ级别电阻构成的分压/采样网络。这些电阻的精度建议为1%以保证检测阈值的一致性。TPD4S480的保护引脚C_SBUx,C_CCx必须接入这个网络。3. 高压功率路径PPEXT与栅极驱动对于需要支持EPR或大电流SPR的应用外部高压MOSFETQ8如CSD18543Q3A及其驱动电路是关键。MOSFET选型耐压必须高于最大VBUS电压EPR需48V导通电阻Rds(on)要足够低以满足效率要求栅极电荷Qg要小以确保驱动电路能快速开关。栅极驱动电路TPS26750A的POWER_PATH_EN引脚输出能力有限。图8-5所示的由两个NMOSQ6, Q7构成的源极跟随器缓冲电路目的是将POWER_PATH_EN的信号进行电平移位和电流放大以足够快的速度驱动高压MOSFET的栅极。R34和R35是上拉电阻其阻值需要根据开关频率和功耗折中选择通常为10kΩ量级。4. I2C总线与GPIO双I2C接口TPS26750A有两个独立的I2C接口。I2Ct_*作为Target从机供主机MCU访问和控制。I2Cc_*作为Controller主机用于控制外部EEPROM和电池充电器。务必在两条总线上都正确配置上拉电阻通常为2.2kΩ或4.7kΩ具体看总线电容和速度。GPIO分配在Web工具中配置GPIO功能时需仔细核对引脚复用。例如GPIO4和GPIO5可能被复用作USB D/D-用于BC1.2。如果某个GPIO被配置为输出控制USB Mux那么在PCB布线时该走线应远离高速信号和电源开关节点以防噪声干扰。4. PCB布局实战指南与避坑清单对于一颗集成高速数字协议、模拟检测和功率路径管理的芯片PCB布局的好坏直接决定了项目的成败。官方资料的第8.4节给出了非常详细的指南这里我结合自己的经验提炼出几个生死攸关的要点。4.1 层叠与通用规则首先建议至少使用4层板。理想的层叠是Top信号/元件、GND完整地平面、PWR电源分割、Bottom信号/元件。完整的地平面是保证信号完整性和抑制EMI的基石。过孔尺寸对于承载电流的路径如VBUS、PP5V、GND过孔不能太小。官方推荐最小尺寸为内径8mil/外径16mil。一个这样的过孔大约能承载1A电流。对于3A或5A的路径必须使用多个过孔并联。例如PP5V引脚到电源平面官方明确要求至少4个过孔并联。线宽不同网络有最低线宽要求。CC走线至少10mil以支持Vconn供电。电源VIN_3V3, LDO_3V3和地线至少10mil推荐16mil。GPIO和I2C等信号线可以用4-10mil。4.2 分区布局与关键元件摆放1. Type-C连接器区域 这是噪声和ESD的“前线”。VBUS引脚在连接器处就需要放置TVS二极管虽然TPS26750A和TPD4S480有一定保护但外加一个如SMBJ48A的TVS能提供更可靠的浪涌保护和滤波电容如10nF4.7uF组合。VBUS从连接器到外部MOSFETQ8的路径要宽、短并使用多个过孔连接到电源平面。2. TPS26750A与TPD4S480核心区域 这两颗芯片应尽可能靠近Type-C连接器放置优先考虑同层布局。去耦电容C15、C16、C17对应LDO_3V3, LDO_1V5, VIN_3V3必须紧贴芯片引脚它们的接地端最好通过过孔直接打到芯片正下方的地平面。这是抑制芯片内部噪声和保证LDO稳定的第一道防线。CC电容C10和C11必须放在CC走线上且走线从芯片引脚出来后直接进入电容焊盘再从电容另一端走到连接器中间不要分叉或绕路更不要换层。这能保证高频PD通信信号的完整性。EPR保护TPD4S480的VBUS、CCx、SBUx引脚走线要短而粗直接连接连接器。其C_CCx、C_SBUx、VBUS_LV走线则需小心地连接到TPS26750A和液滴检测网络这些是敏感信号线应远离噪声源。3. 功率路径区域 外部高压MOSFETQ8及其栅极驱动电路Q6, Q7应自成一个小区域。MOSFET的源极接VBUS输入和漏极接系统VBUS的铜箔面积要足够大用于散热。栅极驱动走线要短避免引入寄生电感导致开关振荡。4. 热设计 TPS26750A底部的散热焊盘Thermal Pad必须良好接地。PCB设计时在该焊盘下方打上多个9-16个接地过孔阵列将热量传导到内部地平面和底层。如果空间允许底层对应位置可以做一个露铜区域甚至添加散热焊盘。4.3 信号完整性要点I2C走线I2Cc_*和I2Ct_*走线应等长、平行、靠近下方有完整地平面参考。避免线宽突变。上拉电阻靠近主设备MCU或TPS26750A放置。ADC走线ADCIN1/2用于液滴检测电压采样是模拟信号。走线应远离任何开关节点如DCDC电感、MOSFET、时钟线和高速数据线。如果使用电阻分压网络分压电阻应靠近LDO_3V3电源放置以减少噪声耦合。GPIO走线特别是用于控制USB Mux的GPIO应避免长距离与高速USB差分对平行走线以防串扰。5. 调试、故障排查与实战心得硬件设计完成并贴片后真正的挑战才刚刚开始。下面是我在多个项目中总结出的调试流程和常见问题。5.1 上电前检查与基础测试目视与测量首先用放大镜检查焊接尤其是QFN封装芯片的四周引脚和中心焊盘。用万用表二极管档测量所有电源引脚VIN_3V3VBUSPP5V对地阻值排除短路。静态供电测试先不插Type-C设备仅给板卡的VIN_3V3上电例如3.3V。测量LDO_3V3和LDO_1V5引脚输出电压是否正常约3.3V和1.5V。测量EEPROM的供电是否正常通常也是3.3V。I2C通信测试用逻辑分析仪或示波器抓取I2Ct_SDA/SCL连接MCU和I2Cc_SDA/SCL连接EEPROM总线。上电后TPS26750A应主动从EEPROM读取数据你会在I2Cc_*总线上看到读取波形。同时你可以尝试通过MCU向TPS26750A的I2Ct_*接口发送读取寄存器命令地址默认为0x2C看是否能得到正确回应。5.2 PD功能调试与常见问题问题1插入设备无反应CC引脚无电压。排查首先用Type-C电压表或带PD诱骗功能的工具插入端口看是否有5V输出。如果没有检查TPS26750A的VIN_3V3和LDO_3V3供电。检查EEPROM是否已正确烧录配置文件I2C地址是否正确通常0x50。用示波器测量CC1和CC2引脚。在未连接时作为DFP源的TPS26750A应在其中一个CC引脚上输出一个约0.33V或0.66V的电压取决于电流能力。如果完全没有可能是芯片未正确初始化或CC引脚外部电路如上拉电阻、电容有问题。检查TPD4S480如果使用是否焊接正常其VBUS_LV引脚是否有输出。问题2可以握手5V但无法协商更高电压如9V 20V。排查配置检查确认Web工具中配置的PDO列表包含了目标电压档位并且电流能力设置正确。硬件能力确认后端电源充电芯片或DCDC确实支持输出所配置的电压并且其使能信号如PP_EN已被TPS26750A正确拉高。用示波器抓取PP_EN和POWER_PATH_EN或缓冲后的栅极驱动信号的波形。通信问题如果使用电池充电器用逻辑分析仪监控TPS26750A与充电器之间的I2Cc_*通信看协商成功后是否有正确的I2C命令发送给充电器来调整电压。VBUS路径检查外部高压MOSFETQ8是否完全导通。测量其栅极电压是否足够通常要高于源极电压3-5V。检查MOSFET的体二极管是否因焊接问题导致反向导通。问题3PPS/AVS电压调整不稳定或响应慢。排查环路响应后端电源的反馈环路带宽可能不足。检查充电芯片的补偿网络或尝试增大输出电容但要注意可能影响启动特性。I2C速度TPS26750A与充电器之间的I2C通信速度在Web工具中可配置不能太慢否则调压指令跟不上PD协议的要求。通常400kHz是安全起点。ADC采样TPS26750A通过VBUS_LV监测输出电压。检查VBUS_LV的分压电阻网络精度和稳定性确保ADC读取的电压值准确。问题4液滴检测误触发或不触发。排查阈值校准液滴检测的阈值在Web工具中可调。默认值可能不适用于你的PCB涂层或环境。可以用定值电阻模拟液体阻抗通常在几十kΩ到几百kΩ之间测试并调整阈值。外部电路检查液滴检测电阻网络100kΩ的阻值是否准确焊接是否良好。如果使用SBU检测确保SBU引脚在正常工作时非音频模式是悬空或可控的。软件读取通过MCU读取TPS26750A的状态寄存器确认液滴检测事件标志位是否被置起。问题5支持EPR时无法进入48V模式。排查TPD4S480配置确保TPD4S480的EPR_EN引脚被正确拉高通常通过电阻上拉至LDO_3V3。VBUS_LV采样在EPR模式下VBUS_LV是分压后的电压。用万用表测量VBUS_LV引脚电压当VBUS为48V时它应该在芯片的ADC量程内如0.8V。如果分压比错误芯片会误判VBUS电压而拒绝进入EPR模式。协议分析仪使用专业的USB-PD协议分析仪如Ellisys Total Phase抓取CC线上的完整通信过程。这是调试PD问题最强大的工具可以清晰地看到双方发送的Source Capabilities、Request、Accept等消息精确定位是哪一步握手失败。5.3 软件集成要点如果你的系统有主机MCU与TPS26750A的软件交互主要集中在I2TI2C Target接口。初始化与状态轮询MCU上电后应通过I2C读取TPS26750A的设备ID和状态寄存器确认通信正常。然后可以定期轮询或使能中断I2Ct_IRQ来获取连接状态、PD合约变化、液滴告警等事件。策略管理MCU可以根据系统状态电池电量、温度、用户设置动态改变PD行为。例如当系统电池快满且温度较高时MCU可以通过I2C命令让TPS26750A重新发起协商请求一个较低的功率如从100W降到60W。故障处理当TPS26750A报告错误如过压、过流、过热时MCU应能及时采取安全措施如断开负载、记录日志、提示用户等。最后我想强调的是USB-PD设计是一个系统工程涉及协议、电源、模拟、数字和热管理。TPS26750A这样的高度集成芯片极大地简化了设计但并不意味着可以掉以轻心。仔细阅读数据手册、充分利用Web配置工具、严格按照推荐布局、并预留足够的测试点是项目成功的关键。在第一次打板时我强烈建议将液滴检测电阻、I2C上拉电阻、部分GPIO配置电阻等设为0欧姆或预留焊盘以便在调试时灵活调整。多花时间在前期设计和调试上远比后期改板要划算得多。