4080K 40V N沟道MOSFET场效应管

4080采用先进的沟槽技术提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于UPS、电源开关及通用应用。特点·极低的RDS(on):典型RDS(on)5.2 mΩVGS10V,Id40A·良好的稳定性和均匀性·100%雪崩测试。