伪SRAM芯片CSS6408SQ是一款高性能64Mbit八通道SPI伪SRAMpSRAM芯片搭载先进Xccela总线与OPI八路传输架构支持DDR高速工作模式搭配QFN-20小型封装是嵌入式设备、智能终端的优选存储配件。这款1.8V低压伪SRAM芯片主频可达200MHz凭借高速传输、低功耗、宽温适配等优势完美适配各类对存储速率、功耗稳定性有高要求的应用场景兼顾实用性与性价比。伪SRAM芯片采用单电源独立供电设计VDD与VDDQ电压适配范围均为1.62V-1.98V标准1.8V工作电压电路兼容性极强可适配多数低压嵌入式电路系统。伪SRAM芯片产品存储规格为64Mb8M×8位默认页面大小1024字节地址布局规整行地址AX0-AX12、列地址AY0-AY9内置自我刷新管理机制无需外部控制器干预大幅简化硬件开发流程。作为八通道SPI伪SRAMCSS6408SQ支持DDR双倍数据速率传输单个时钟周期可完成双字节传输最高时钟频率达200MHz读写吞吐量峰值可达400MB/s。同时配备数据选通DQS高速读取机制、数据掩码DM写入功能支持寄存器自定义读写初始延迟可灵活适配不同设备的高速读写需求。该伪SRAM拥有双重工作温域标准工况为-40℃至85℃扩展工况可达-40℃至105℃可适应高低温复杂工作环境。待机功耗控制优异85℃环境下最大待机电流仅200微安105℃高温环境下待机电流为300微安高温工况下依旧保持低功耗运行。