自给偏压电路的工作原理自给偏压电路通过源极电阻Rs产生负反馈电压VGS-IDRS适用于结型场效应管JFET但不适用于增强型MOSFET。确定静态工作点可采用图解法通过直流负载线与转移特性曲线交点或计算法联立求解特性方程。场效应管具有电压控制、多子导电等特点与晶体管存在电极对应关系G-b、S-e、D-c使用时需注意不同类型管子的偏压极性要求。分压式偏置电路通过调整栅极电压实现稳定偏置其图解法分析需考虑直线偏移特性。自给偏压电路如图为自给偏压电路。电容对Rs起旁路作用——源极旁路电容。自给偏压电路注增强型 场效应管MOSFET只有G—S间电压先达到某个开启电压VT时才有ID所以自偏压不适用于增强型MOSFET。分析当Is流过Rs时产生Vs压降对地是负值。所以VGSVG-VS-ISRS-IDRS问题是VGS决定于ID而ID又随VGS变化而变化如何能确定ID、VGS之值呢下面内容介绍两种解法。图解法步骤1作直流负载线从输出回手直流负载线于输出特性曲线的不同VGS的交点即管子内部方程与输出回路方程的联立解表明电路中IDVDSVGS的数值必在这些交点上。(2)利用直流负载线上的点作转移特性曲线。3定静态工作点Q从G极回路入手因Q还应满足输入回路所以作输入回路的直流负载线VGS-IDRS如图。4代入数据得QVGSVDSID计算法计算法采用下列公式求解:式子的IDSS称为饱和电流即为VGS0时ID的值VP称为夹断电压当VGSVP时漏极电流ID为0。让我们来看一个例子,电路如图.已知:VP-4V IDSS2mA。代入上述两个公式得求解此两方程,解得ID10.82mA,ID20.30mA因为-ID1RS VP因而ID10.82mA不合题意舍去故静态漏极电流IDQ为IDQ0.30mA静态管压降VGSQ、VDSQ分别为JFETMOSFETN沟道P沟道场效应管的特点:1.场效应管是电压控制器件栅极基本不取电流,而晶体管是电流控制器件,基极必须取一定的电流,应此对于信号源额定电流极小的情况下常选用场效应管。2.场效应管是多子导电,晶体管是两种载流子参与导电。但少子受环境影响明显。3.场效应管FET和晶体管BJT一样具有放大作用而且这两种放大元件间存在着电极对应关系G-bS-eD-c。因此根据BJT电路即可得到 与之对应的FET放大电路。但不能简单地加以替换否则有时电路不能正常工作。场效应除作放大器件及可控开关外还可作压控可变线性电阻使用。4.场效应管S极和D极是对称的可以互换使用耗尽型MOS管栅源电压可正可负使用比晶体三极管灵活。5.场效应管组成放大电路时与晶体管一样必须选择合适的静态工作点栅极必须有合适的偏压但不出现偏流对不同类型场效应管对偏压的极性要求不同特列如下类型VGSVDS类型VGSVDSN沟道JFET负正P沟道JFET正负N沟道EMOS正正P沟道EMOS负负N沟道DMOS正/负正P沟道DMOS正/负负注JFET表示结型场效应管DMOS表示耗尽型场效应管EMOS表示增强型场效应管。场效应管的分压式偏置放大电路下面是 [场效应管的分压式偏置放大电路]的电路图 场效应管的分压式偏置放大电路利用图解法求Q点时, 此方程的直线不通过uGS~iD坐标系的原点,而是通过ID0, 点, 其它过程与自偏电路相同。利用计算法求解时, 需联立解下面方程组三极管的分压偏置放大电路(责任编辑admin)下面是[场效应管的分压式偏置放大电路]的电路图场效应管的分压式偏置放大电路利用图解法求Q点时, 此方程的直线不通过uGS~iD坐标系的原点,而是通过ID0, 点, 其它过程与自偏电路相同。利用计算法求解时, 需联立解下面方程组三极管的分压偏置放大电路