【信息科学与工程学】【制造工程】第六十二篇 芯片封装02 Intel Foveros技术

硬参数符号含义数值范围来源pbump​微凸块 pitch36 μm（Meteor Lake），25 μm（Omni），18 μm（roadmap），Direct 10 μm / 10 K/mm²dTSV​,hTSV​TSV 直径 / 深5–10 μm / 50–100 μmtdie​Top die 减薄后厚度50–100 μm（当前），→10 μm（演进）δalign​TCB 对准精度2 μm（F2F）hIMC​IMC