QI标准的MPPPT发射端与PR接收端PT中的铷铁硼永磁体可能导致PR端的屏蔽层直流偏磁。正常工作时只受到交流电影响直流偏磁H≈0工作于图中的H小的区域斜率较大此时H的提升会带来B的线性提升。由于受到直流偏磁的影响工作点在H轴推移处于饱和区H的提升不会带来B的大幅提升。关于如何衡量是否饱和定义了一个测试标准TPR#MPP3任意满足如下两条约束就有饱和的风险其中A(0,0)和B22分别表示r,z即例1水平偏移0mmz轴向偏移0mm即例2水平偏移2mmz轴向偏移2mm。正常情况下PT的磁体不会把PR的屏蔽层顶饱和所以上面这两个指标应该大于0