型号介绍HTN7G38S007P是一款宽频分立无匹配 LDMOS 射频功率放大器器件依托 700MHz~3800MHz 超宽工作频段、7W 饱和输出功率成为 2G 至 Sub-6GHz 5G 无线通信设备的主流射频放大核心器件。它拥有多项可靠设计亮点首先封装热阻仅 2.9℃/W低热阻结构带来出色的热稳定性长时间满功率工作不易出现性能漂移其次器件内部集成增强型 ESD 防护电路搭配完善的加固设计即便在 10:1 全相位极端驻波负载失配工况下持续大功率工作也不会出现器件性能衰减抗冲击、抗失配能力突出大幅降低终端设备现场故障概率。同时器件直流电气特性稳定击穿电压最低 65V栅源开启电压典型值 1.4V漏极、栅极漏电流控制在微安、纳安级别静态功耗可控静态电流可根据频段在 70mA、80mA、100mA 区间灵活调整适配。主要特性工作频率700 ~ 3800MHz覆盖 2G/3G/4G/5G 主流通信频段漏极电压 V_DSS-0.5V ~ 65V栅极电压 V_GS-5V ~ 10V正常工作电压 V_DD0 ~ 28V存储温度-55 ~ 150℃外壳工作温度 Tc-40 ~ 150℃结温 Tj-40 ~ 225℃应用领域移动通信基站小区信号覆盖增强设备无线对讲射频发射模块相关型号CGH27015FCGHV27015SEDA4F2775P170FB30EDA4F2975P170FB30AD9361BBCZMAX3079EESDMACS-007801-0M1RM0ZED-X20P-00BZED-F20P-00BGD25F64FSIGRGD25Q64ESIGRGD25Q64EWJGRGD25Q64EWIGRHTN7G38S007PMAX795TESAT