详细条目（编号1～5）编号类型领域子领域 / 内容问题（多学科交叉）算法逐步推理思考的数学表达式及实现步骤及时序流程关联知识1器件结构 / 互连工艺 / 多物理场建模对象微电子 → 先进封装 → 3D 集成硅通孔几何设计、寄生RLC提取、热–力–电耦合、Cu电镀填充、界面扩散与电迁移、Keep-Out Zone (KOZ)、TSV-last/first/middle 工艺数学物理：热传导 / 弹塑性应力 / 电迁移Fick扩散 / 麦克斯韦方程（高频）界面表面科学：Cu/SiO₂ / Cu/Ta 界面能、晶界扩散、应力迁移计算架构：TSV阵列宏模型、分段π模型、网格剖分（FEM/BEM）几何/拓扑：高深宽比（AR10）柱面拓扑、密排六边形 vs 方阵