序号产品名称所属大类物理/化学特性数学方程式及数值示例（详细列表）462光刻胶顶部抗反射涂层（TARC，有机）半导体-光刻辅助数学物理： 折射率 n = 1.5 @193nm；膜厚 t = 40nm；反射率 R = 0.1%；浸没式光刻中与水的接触角 θ = 70°。数学化学： 水溶性聚合物（如聚丙烯酸酯），显影时溶于TMAH溶液；与光刻胶互混层厚度 1nm。缺陷物理： 膜厚均匀性 ±1nm；缺陷密度 0.01 cm⁻²。缺陷化学： 与浸没水相互作用导致水痕缺陷。其他： 用于ArF浸没式光刻，减少驻波。463光刻胶顶部抗反射涂层（TARC，无机）半导体-光刻辅助数学物理： 材料 SiOxNy；折射率 n = 1.8 @193nm；膜厚 t = 30nm；反 【信息科学与工程学】【制造工程】第二百零五篇 “机械制造“和“化工制造“涵盖的产品SKU级02
序号产品名称所属大类物理/化学特性数学方程式及数值示例（详细列表）462光刻胶顶部抗反射涂层（TARC，有机）半导体-光刻辅助数学物理： 折射率 n = 1.5 @193nm；膜厚 t = 40nm；反射率 R = 0.1%；浸没式光刻中与水的接触角 θ = 70°。数学化学： 水溶性聚合物（如聚丙烯酸酯），显影时溶于TMAH溶液；与光刻胶互混层厚度 1nm。缺陷物理： 膜厚均匀性 ±1nm；缺陷密度 0.01 cm⁻²。缺陷化学： 与浸没水相互作用导致水痕缺陷。其他： 用于ArF浸没式光刻，减少驻波。463光刻胶顶部抗反射涂层（TARC，无机）半导体-光刻辅助数学物理： 材料 SiOxNy；折射率 n = 1.8 @193nm；膜厚 t = 30nm；反